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Si9407BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
25
20
15
10
V GS = 10 V thr u 5 V
V GS = 4 V
5
4
3
2
T C = 25 °C
5
V GS = 3 V
1
T C = 150 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.30
0.25
0.20
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
8 00
600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.15
V GS = 4.5 V
0.10
V GS = 10 V
400
0.05
0
200
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
0
10
20
30
40
50
60
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 3.2 A
1.6
I D = 3.2 A
V GS = 10 V
1.4
6
4
V DS = 30 V
1.2
V GS = 4.5 V
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69902
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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